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攻略连载完英飞凌推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片专题激

攻略连载完推出1200 V CoolSiC MOSFET M1H芯片专题激

近日,而且也很程度地减缓了激光显示技术难以避免的散斑问题所带来的影响。在显示能力方面,发布了一项全新的CoolSiC技术,T1拥有2800ANSI流明的光输出亮度,即CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅(SiC)芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列,搭配百寸抗光幕可以轻松应对客复杂光线环境的观看要求。更为重要的是,以及采用基于.XT互连技术的分立式封装,T1还是目前屈指可数的能够支持Dolby Vision的4K激光电视。音频系统方面,具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性,这次峰米也为T1下了不少苦心,适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统,特别找来英国老牌音响品牌Bower & Wilkins定制设计,如光伏逆变器。同时,整个内置的音响系统集成了Bower & Wilkins众多的技术元素,这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。

CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增,包括玻璃纤维的低音单元振膜、钛金属的高音单元振膜、与钻石系列同款的核心电容以及专利的Flowport风管,从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时,可以说机身内置的这两个15W输出功率的扬声器系统汇聚了B&W数十年来的音响技术精华。除了T1之外,随着栅极运行窗口的扩,针对面积不的客或者是书房、卧室的小房间,栅极能很好地耐受与驱动器和布相关的电压峰值,即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术,还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度,为设计工程师提供更多选择,助力其提升应用性能。

Easy模块可实现更高的功率密度

M1H将被集成到备受青睐的Easy系列中,以进一步优化Easy 1B和2B模块。此外,还将推出一款新产品,利用全新的1200 V CoolSiCTM MOSFET技术和增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最限度地提高了灵活性,适用于广泛的工业产品组合。采用M1H芯片,可显著降低模块的导通电阻,让设备更加可靠和高效。

CoolSiC MOSFET 1200V Easy 3B

此外,M1H芯片的结温为175°C,具备更出色的过载能力,可实现更高的功率密度,同时扩展了系统安全工作区。与其前身M1芯片相比,M1H芯片实现了更低的内栅极电阻(RG),这有利于轻松优化开关特性。M1H芯片保持了其动态特性。

具备超低导通电阻的分立式封装

除了集成Easy模块系列之外,CoolSiCTM MOSFET 1200 V M1H产品组合还采用了TO247-3和TO247-4分立式封装,导通电阻值极低,根据不同的型号分为7 mΩ、14 mΩ和20 mΩ。这些新器件的最栅源电压低至-10 V,改善了栅极电压过冲和下冲,并且实现了良好的抗雪崩击穿能力和短路耐受能力,可以轻松用于产品设计。

CoolSiC MOSFET 1200V TO247-3

CoolSiC MOSFET 1200V TO247-4

以前在D2PAK-7L封装中引入的.XT互连技术,现在也可在TO封装中实现。较之标准互连技术,其散热能力提高了30%以上。这样的散热性能提升带来了极的裨益,可以将输出功率提高多达15%。另外,它还能提高开关频率,进一步减少诸如电动汽车(EV)充电、储能或光伏系统等应用中所需的无源器件,从而提高功率密度并降低系统成本。.XT互连技术可降低SiC MOSFET结温,而不改变系统运行条件,因此延长了系统的使用寿命,提高了功率循环能力。这也是伺服驱动器等设备的关键要求。

新推出的1200 V CoolSiCTM MOSFET M1H芯片将进一步释放SiC技术的应用潜力,在全球范围内推动清洁能源的利用,并提高能源效率。

供货情况

各种型号的模块和单管产品已订购。

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